2.6 过零触发的光耦可控硅与双向可控硅构成的电路
集成稳压器输出稳定的5V电压，为软起动电路提供电源电压。晶体管VT1、反相器IC2构成过零触发电路，IC1 555构成单稳态触发器，R1、C1为定时周期，但因5端至1端接有延迟电路R2、C2，所以555是逐步达到满周期的。当电网电压过零时，晶体管VT1截止，反相器IC2输出低电平，起动定时电路555工作，软起动延迟时间由时间常数R1C1及R2C2共同决定。
3.应用实例
解决措施有串接热敏电阻（NTC）、电阻、继电器切换、用MOSFET代替继电器及应用热插拔控制器等方案，这里采用了MOSFET的方案解决了软启动问题。 采用MOSFET的方案如图8所示。
Q为功率MOSFET，完全导通时导通电阻很小（仅为几十mΩ），可以作为开关使用。通电后，Q栅极电压为电压C1的电压，UC1=1/RC1 Uindt（忽略R2的电流）。通电瞬间，UC1→0，Q截止，C2经R1限流充电。上电瞬间最大充电电流I≈Uin/R1，随电容C1电压的上升，场效应管Q的导通电阻下降，C1电压上升到6～12V时，此时Q导通，其导通电阻很小，此时可以等效为开关闭合。
电容C1的容值可选C=1μF，由于MOSFET管Q无需电流来驱动栅极，所以R1、R2可选阻值较大。48V输入时MOSFET管推荐用IRF540，24V输入时推荐用IR3025。
此方案可以通过RC来控制电容的充电速度，达到输入软启动目的，在大电流时输入的损耗也很小，在Avansys电源模块的应用中，推荐采用此电路作为输入软启动电路。
是华为的AVH150-48S05和AVH50-48S05模块，每个模块输入分别接有输入电解电容C2、C3，电容总容量为C=C1+C2=470μF+220μF=169μF?，软启动限流电阻R1=5.1Ω，电容C1=1μF。 | 
