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多路读写的SDRAM接口设计

摘要:介绍SDRAM的主要控制信号和基本命令时序,提出一种应用于解复用的支持多路读写的SDRAM接口设计,为需要大容量存储器的电路设计提供了新思路。

关键词:SDRAM 解复用 接口

存储器是容量数据处理电路的重要组成部分。随着数据处理技术的进一步发展,对于存储器的容量和性能提出了越来越高的要求。同步动态随机存储器SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)因其容量大、读写速度快、支持突发式读写及相对低廉的价格而得到了广泛的应用。SDRAM的控制比较复杂,其接口电路设计是关键。

本文首先介绍SDRAM的主要控制信号和基本命令;然后介绍接口电路对SDRAM的主要操作路径及操作过程,应用于解复用的SDRAM接口电路的设计方法;最后给出了实现结果。

1 SDRAM的主要控制信号和基本命令

SDRAM的主要控制信号为:

·CS:片选使能信号,低电平有效;

·RAS:行地址选通信号,低电平有效;

·CAS:列地址选通信号,低电平有效;

·WE:写使能信号,低电平有效。

SDRAM的基本命令及主要控制信号见表1。

表1 SDRAM基本操作及控制信号

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