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SEMiXTM 功率模块是为沟槽式IGBT开发的，该产品系列的设计最大限度地发挥了芯片的性能。因此，沟槽式IGBT和赛米控相应的CAL反向二极管的优点可以在变频器内得到充分的发挥。通过内部结构的改进，沟槽式IGBT的低饱和压降特性可以被充分地利用。故而，SEMiXTM 半桥模块的导通损耗要比同类产品低 40%。
SEMiXTM 产品系列有四种不同的外壳尺寸：SEMiXTM 2、SEMiXTM 3、SEMiXTM 4在半桥和制动斩波器布局中；SEMiXTM 33 为6单元模块。SEMiXTM模块的电压等级为600伏、1200伏和1700伏；其相应的电流范围为190安至1000安。功率大于200千瓦的变频器可采用并联半桥的方式来实现。
客户有三种接口形式可选：第一种是带驱动的IPM、第二种是带辅助接触端子的模块、第三种模块内部的每个IGBT芯片都可以就驱动和保护功能被分别优化。基于宽广的功率范围和各种不同的功能，这个产品系列组成了一个单一的技术平台，同时满足了变频器市场的所有要求。
在新的设计理念和生产工艺的基础上，不同接口的模块只是在生产链的最终阶段才分化开来。除了几种电路和尺寸的变化之外，其基本构造是完全相同的。因而，即使是为客户定制的模块，交货时间也可以很短。
在此创新的模块设计的基础上，一个变频器可以配置一个6单元模块或者三个相同、独立的半桥。而且，半桥型配置可以使热阻大约降低20%，如温度不变，变频器的输出电流可增加15%，或芯片温度可降低10-15°C，从而显著地延长了寿命。
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